엔비디아 공급도 가시권…HBM4로 본격 반격 시동
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| ▲삼성전자 반도체 HBM3E에 젠슨 황이 싸인을 남겼다/사진=삼성전자 제공/이덕형 기자 |
[소셜밸류=이덕형 기자] 삼성전자가 AMD의 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘MI350’ 시리즈에 고대역폭메모리(HBM3E) 12단 제품을 공식 공급하며, 그간의 제품 결함 논란을 정면 돌파했다. 업계에서는 이번 공급 확정이 삼성 HBM 경쟁력 회복의 전환점이 될 것으로 보고 있다.
특히 삼성은 AMD 외에도 최대 고객사인 엔비디아에도 이르면 6월 중 HBM3E 공급을 시작할 가능성이 제기된다. 이를 계기로 HBM 시장에서의 실적 반등과 이미지 회복, 그리고 하반기 수익성 개선이 기대된다.
◇삼성전자 HBM3E 12단, AMD 공식 인증
AMD는 12일(현지시간) 미국 산호세에서 열린 ‘AI 어드밴싱 2025’ 행사에서, 자사 MI350X·MI355X AI 가속기에 삼성전자와 마이크론의 HBM3E 12단 제품을 채택했다고 밝혔다. 삼성의 HBM이 공식적으로 대외 공개된 것은 이번이 처음이다.
이번에 탑재된 제품은 삼성전자가 지난해 개발 완료한 36GB HBM3E 12단으로, 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV 기술로 수직 적층한 고성능·고용량 제품이다. 이전 8단 대비 성능·용량이 50% 이상 향상됐으며, 초당 1280GB의 대역폭과 10Gb/s 전송속도를 자랑한다.
◇'결함 논란' 불식…기술력으로 승부
그간 삼성전자는 엔비디아의 AI 가속기 공급망에서 SK하이닉스에 밀려 고전해왔다. 특히 HBM3의 발열과 신호 결함 이슈가 일부 글로벌 고객사 테스트에서 거부 사유로 작용하면서 공급이 좌절된 바 있다.
하지만 이번 AMD와의 공식 공급 계약은 제품 신뢰성과 기술력에 대한 시장의 의구심을 해소하는 계기가 된 셈이다.
삼성은 12단 적층에도 불구하고 ‘Advanced TC NCF’ 기술을 통해 8단과 동일한 높이의 패키지를 구현했으며, 칩 간 간격 최소화 및 범프 최적화로 발열 문제를 해결했다. 수직 집적도는 20% 이상 향상됐다.
◇ HBM4 승부수, 'MI400·엔비디아'까지 노린다
삼성전자의 다음 목표는 HBM4다. AMD는 이날 행사에서 내년 출시할 ‘MI400 시리즈’에 GPU당 432GB의 HBM4를 탑재한다고 밝히며, 삼성과의 후속 협력 가능성도 열어놨다.
HBM4는 차세대 고대역폭메모리로, 삼성·SK하이닉스·마이크론 간 3강 구도 재편의 핵심 변수다. 업계에 따르면 삼성전자는 6세대 10나노(1c) 공정 기반으로 HBM4 양산을 준비 중이며, 경쟁사 대비 한 세대 앞선 기술을 무기로 시장 탈환을 노리고 있다.
한 업계 관계자는 “HBM4는 기술력과 수율, 공정 안정성이 모두 요구되는 고난도 제품”이라며 “삼성이 양산에 성공하면 경쟁사 대비 공급 속도와 수익성에서 우위를 점할 것”이라고 말했다.
◇ 하반기 실적 반등 ‘신호탄’ 될까
삼성전자는 메모리 업황 부진 속에서도 HBM을 미래 성장동력으로 삼아 연구개발에 집중해 왔다. 이번 AMD와의 계약, 그리고 향후 엔비디아 납품이 현실화되면, 삼성의 메모리 부문 수익성 개선과 AI 반도체 경쟁력 강화에 결정적인 전환점이 될 것으로 보인다.
시장 전문가들은 “HBM4 양산 본격화와 함께 삼성의 반도체 부문이 하반기부터 회복 국면에 진입할 것”이라며 “지금까지의 부진을 털고 AI 시대에 걸맞은 메모리 전략을 구체화할 시점”이라고 분석했다.
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