[소셜밸류=최연돈 기자] 삼성전자가 인공지능(AI) 시대 메모리 기술의 한계를 극복하기 위한 차세대 전략으로 용량과 최적화, 대역폭, 열 효율 등으로 이뤄진 ‘CUBE’를 제시했다.

 

삼성전자는 1일 대만 타이베이에서 열린 ‘세미콘 타이완 2026’의 메모리 이그제큐티브 서밋에 참가해 차세대 메모리 기술 전략을 공개했다.

 

최장석 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리사업부 상품기획팀장 상무는 기조연설에서 ▲Capacity(용량) ▲Utilization(최적화) ▲Bandwidth(대역폭) ▲Efficiency(전력·열 효율)의 앞 글자를 딴 ‘CUBE’ 전략을 소개했다.

 

▲1일 최장석 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리사업부 상품기획팀장 상무가 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 'CUBE' 전략을 발표하고 있다./사진=삼성전자 제공

 

최 상무는 “이제 더 이상 인쇄회로기판(PCB) 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘릴 것”이라고 말했다.

 

이어 “3D는 단순히 쌓는 것이 아니라 각 층을 어떻게 활용하느냐가 핵심”이라며 “삼성은 데이터 처리 지연을 없애기 위해 로직·메모리 배치를 최적화하고 있다”고 설명했다.

 

대역폭은 메모리 다이 사이의 거리를 줄여 데이터 이동 경로를 단축하는 방식으로 높인다. 전력과 발열 측면에서는 데이터 이동에 필요한 에너지를 줄여 와트당 성능을 높이는 데 초점을 맞춘다.

 

삼성전자는 CUBE 전략을 바탕으로 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5와 zHBM, zNAND-O 등 차세대 메모리 기술 개발도 추진하고 있다.

 

현재 개발 중인 HBM5는 HBM4E 대비 성능을 2배 높이고 와트당 성능을 20% 향상하는 한편 열 저항을 20% 낮추는 것을 목표로 한다. 차세대 메모리인 zHBM은 HBM4E 대비 성능 8배, 와트당 성능 3배 향상, 열 저항 75~90% 감소를 목표로 개발 중이다.

 

낸드플래시 분야에서는 고성능 솔루션인 zNAND-O를 개발하고 있다. zNAND-O는 D램보다 10배 높은 비트 밀도와 낸드보다 7배 높은 읽기 대역폭 및 전력 효율을 목표로 하며, 삼성전자는 2028년 샘플링을 시작할 계획이다.

 

삼성전자는 범용 D램과 낸드부터 HBM, 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)까지 메모리 제품군을 기반으로 AI 연산 수요 증가에 대응한다는 계획이다.

 

삼성전자는 HBM2부터 HBM4E까지 용량과 대역폭, 전력효율, 열관리 기술을 지속적으로 고도화해왔다. AI 연산량 증가에 맞춰 메모리 용량과 데이터 전송속도, 전력효율을 함께 높이는 기술 개발에도 속도를 내고 있다.

 

한편, 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 D램과 낸드플래시 시장에서 모두 매출 기준 1위를 기록했다.

 

카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자의 2분기 글로벌 D램 시장 점유율은 39%로 SK하이닉스 26%, 마이크론 25%를 앞섰다. 트렌드포스 자료를 보면 같은 기간 삼성전자의 낸드플래시 시장 점유율은 29.3%로 1위를 기록했다. 낸드 매출은 약 230억6000만달러로 전분기 대비 70.7% 증가했다.

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