▲ 삼성전자 반도체 HBM2 /사진=DB

 

[소셜밸류=이덕형 기자] 삼성전자가 일본 연구소에서 2025년 시제품 출시를 목표로 6세대 고대역폭메모리(HBM)의 개발을 위한 전문 연구 인력 채용에 들어갔다.

3일 디지털타임즈아시아는 삼성전자가 일본 요코하마시 해안 미나토미라이 지구에 반도체 연구개발(R&D) 센터를 확장하고 있다고 보도했다.

삼성전자의 일본R&D센터는 미나토미라이 지구 내 6,600평방미터 규모로 연구 및 개발 시설에 1개의 R&D 팹(FAB)과 1개의 사무동으로 구성됐다고 밝혔다. 특히 2025년 시제품 출시를 위해서 일본 현지에서 신규로 100여 명의 연구 및 개발 인력을 확충하고 있는 것으로 알려졌다. 

 

이번 인력 채용에는 건설사업, 인력, 재무, 삼성 AVP(Advanced Packaging) 사업부 등의 인력이 투입돼 APL(Advanced Physical Layer)의 진출을 가속화하고 경쟁력 있는 반도체 패키징 분야에서 경쟁력를 갖출 것으로 분석했다.

 

APL에는 총 400억 엔(2억 6천만 달러)의 투자가 포함될 예정이다. 앞서 일본 정부는 전체 투자금의 절반을 충당하는 2000억 엔의 보조금을 지급하겠다고 발표했다. 

 

이 보조금은 일본의 반도체 개발 지원에 전념하는 일본의 '포스트 5G 펀드'에서 조달된다고 해당 매체는 밝혔다. 삼성은 APL에서 AI와 5G 반도체 백엔드 공정 기술에 연구 개발을 집중할 계획인 것으로 보인다. 이는 6세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4에도 적용될 가능성이 있다고 밝혔다.

 

특히 일본의 이비덴, 신코 일렉트릭, 레조낙, 아지노모토 파인-테크노와 같은 유명 업체들이 보여준 백엔드 프로세스에 대한 일본의 기술력 등이 뒷받침될 것으로 전망했다.

 

실제 일본R&D센터는 삼성반도체의 고대역폭메모리(HBM3) 모델을 기반으로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 개발을 진행하고 있다. 시제품이 나오면 본격적인 생산은 삼성반도체 기흥공장에서 할 것으로 알려졌다.

삼성반도체 관계자는 "일본R&D센터에서 고대역폭 메모리(BM4)의 연구와 개발이 이루어지고 있다"며 "기존 개발 제품과 차별화된 신기술을 적용한다면 예상보다 시간이 단축될 것으로 본다"며 일본에서 시제품은 2025년에 나올 것 같다고 말했다.

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