▲SK하이닉스, 고방열 모바일 D램 이미지=사진=SK하이닉스 제공

 

[소셜밸류=최성호 기자] SK하이닉스가 업계 최초로 신소재 ‘High-K EMC’를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발하고 글로벌 고객사에 공급을 시작했다. 발열로 인한 스마트폰 성능 저하 문제를 해결할 수 있는 혁신 제품으로 평가받는다.

 

온디바이스(On-Device) AI 구현이 확산되면서 스마트폰의 데이터 고속 처리 과정에서 발생하는 발열은 성능 저하의 주요 원인으로 지적돼 왔다. SK하이닉스는 D램 패키지 소재인 EMC(Epoxy Molding Compound)에 알루미나를 혼합한 신소재 ‘High-K EMC’를 적용해 열 방출 성능을 크게 개선했다.

High-K EMC 적용 결과, 열전도도가 기존 대비 3.5배 높아졌고, 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항은 47% 줄었다. 이를 통해 최신 플래그십 스마트폰에서 모바일 AP 적층 구조(PoP)로 인해 발생하는 열 누적 문제를 효과적으로 억제할 수 있다는 설명이다.

향상된 방열 성능은 고사양 스마트폰의 안정적 성능 유지뿐 아니라 전력 효율과 배터리 지속 시간 개선에도 기여한다. 글로벌 고객사들 역시 발열 저감 효과를 높이 평가하며 수요가 확대될 것으로 예상된다.

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장은 “이번 제품은 단순한 성능 향상이 아니라 고성능 스마트폰 사용자들의 불편 해소에 기여하는 혁신적 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 기반으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 강화하겠다”고 밝혔다.

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